Central Semiconductor Corp - CN649 TR

KEY Part #: K6441591

CN649 TR Hinnoittelu (USD) [3423kpl varastossa]

  • 5,000 pcs$0.24916

Osa numero:
CN649 TR
Valmistaja:
Central Semiconductor Corp
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GP 600V 400MA DO-41SP.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - erityistarkoitus, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen ...
Kilpailuetu:
We specialize in Central Semiconductor Corp CN649 TR electronic components. CN649 TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CN649 TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CN649 TR Tuoteominaisuudet

Osa numero : CN649 TR
Valmistaja : Central Semiconductor Corp
Kuvaus : DIODE GP 600V 400MA DO-41SP
Sarja : -
Osan tila : Obsolete
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 400mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1V @ 400mA
Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : -
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 200nA @ 600V
Kapasitanssi @ Vr, F : 11pF @ 12V, 1MHz
Asennustyyppi : Through Hole
Paketti / asia : DO-204AL, DO-41, Axial
Toimittajalaitteen paketti : DO-41
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 150°C
Saatat myös olla kiinnostunut
  • CDBDSC8650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V

  • CDBDSC10650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V

  • CDBDSC5650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 650V

  • VS-8EWS10STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-8EWS10STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-CPU6006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 2x30A FRED Pt TO-247 LL 3L