Taiwan Semiconductor Corporation - S10MC R7G

KEY Part #: K6442904

S10MC R7G Hinnoittelu (USD) [402484kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.09190

Osa numero:
S10MC R7G
Valmistaja:
Taiwan Semiconductor Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB. Rectifiers 10A, 1000V, SMD RECTIFIER
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Diodit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Tiristorit - TRIACit and Transistorit - IGBT - moduulit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S10MC R7G electronic components. S10MC R7G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S10MC R7G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S10MC R7G Tuoteominaisuudet

Osa numero : S10MC R7G
Valmistaja : Taiwan Semiconductor Corporation
Kuvaus : DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB
Sarja : -
Osan tila : Not For New Designs
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 1000V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 10A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 10A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : -
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 1µA @ 1000V
Kapasitanssi @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-214AB, SMC
Toimittajalaitteen paketti : DO-214AB (SMC)
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • VS-8EWS16STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS16STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS16STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS12STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS12STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS08STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.