Winbond Electronics - W29N02GWBIBA

KEY Part #: K939961

Yksityiskohtainen kuvaus:: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 2G-bit NAND flash, 1.8V x 16bit

Perheluokat:: KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Logic - Universal Bus Functions, Logiikka - Multivibraattorit, Kello / ajoitus - viivejohdot, Liitäntä - Signaaliterminaattorit, Liitäntä - Suodattimet - Aktiiviset, PMIC - AC DC -muuntimet, offline-kytkimet, Kello / ajoitus - sovelluskohtainen and Liitäntä - ohjaimet ...

Kilpailuetu:: We specialize in Winbond Electronics W29N02GWBIBA electronic components. W29N02GWBIBA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W29N02GWBIBA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa numero : W29N02GWBIBA

Valmistaja : Winbond Electronics

Kuvaus : IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

Sarja : -

Osan tila : Active

Muistityyppi : Non-Volatile

Muistimuoto : FLASH

tekniikka : FLASH - NAND (SLC)

Muistin koko : 2Gb (256M x 8)

Kellotaajuus : -

Kirjoita työkierron aika - sana, sivu : 35ns

Kirjautumisaika : 35ns

Muistiliitäntä : Parallel

Jännite - syöttö : 1.7V ~ 1.95V

Käyttölämpötila : -40°C ~ 85°C (TA)

Asennustyyppi : Surface Mount

Paketti / asia : 63-VFBGA

Toimittajalaitteen paketti : 63-VFBGA (9x11)

Saatat myös olla kiinnostunut

MB85AS4MTPF-G-BCERE1

Fujitsu Electronics America, Inc.

IC RAM 4M SPI 5MHZ 8SOP.
AT28HC64B-12SU

Microchip Technology

IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 120NS IND TEMP
W25M512JVFIQ TR

Winbond Electronics

IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector
W9864G2JB-6I TR

Winbond Electronics

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp T&R
W632GG8MB-09

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 1066MHz
W29N02GWBIBA

Winbond Electronics

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 2G-bit NAND flash, 1.8V x 16bit