Valmistaja :
GeneSiC Semiconductor
Kuvaus :
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL
Diodin tyyppi :
Single Phase
Jännite - Peak Reverse (Max) :
600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
4A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 4A
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
5µA @ 600V
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Through Hole
Paketti / asia :
4-SIP, GBL
Toimittajalaitteen paketti :
GBL