Vishay Semiconductor Diodes Division - ES3C-E3/57T

KEY Part #: K6457042

ES3C-E3/57T Hinnoittelu (USD) [318848kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.11600
  • 850 pcs$0.10022
  • 1,700 pcs$0.07744
  • 2,550 pcs$0.07061
  • 5,950 pcs$0.06606
  • 21,250 pcs$0.06150

Osa numero:
ES3C-E3/57T
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB. Rectifiers 3.0 Amp 150V 20ns
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - RF, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - JFET, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Diodit - sillan tasasuuntaajat and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES3C-E3/57T electronic components. ES3C-E3/57T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES3C-E3/57T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES3C-E3/57T Tuoteominaisuudet

Osa numero : ES3C-E3/57T
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 150V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 3A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 900mV @ 3A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 30ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 10µA @ 150V
Kapasitanssi @ Vr, F : 45pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-214AB, SMC
Toimittajalaitteen paketti : DO-214AB (SMC)
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • DSS2-60AT2

    IXYS

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A TO92-3.

  • FFD08S60S-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers 8A, 600V Stealth II Rectifier

  • BAS16

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching SOT23 215mA 75V 4ns

  • VS-8EVL06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.

  • VS-8EVX06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.

  • VS-8EVH06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK. Rectifiers 600V 8A SlimDPAK FRED