Infineon Technologies - BAT17E6327HTSA1

KEY Part #: K6465359

BAT17E6327HTSA1 Hinnoittelu (USD) [1625892kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.02275

Osa numero:
BAT17E6327HTSA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Schottky Diodes 4V 130mA
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - JFET and Transistorit - ohjelmoitava Unijunction ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies BAT17E6327HTSA1 electronic components. BAT17E6327HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAT17E6327HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAT17E6327HTSA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : BAT17E6327HTSA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT23-3
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Schottky - Single
Jännite - Peak Reverse (Max) : 4V
Virta - maks : 130mA
Kapasitanssi @ Vr, F : 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F : 15 Ohm @ 5mA, 10kHz
Tehon hajautus (max) : 150mW
Käyttölämpötila : 150°C (TJ)
Paketti / asia : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajalaitteen paketti : SOT-23-3