IXYS - IXTP3N60P

KEY Part #: K6418752

IXTP3N60P Hinnoittelu (USD) [75908kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.59533
  • 50 pcs$0.59236

Osa numero:
IXTP3N60P
Valmistaja:
IXYS
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 3A TO-220.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Diodit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - IGBT - Yksittäiset and Transistorit - JFET ...
Kilpailuetu:
We specialize in IXYS IXTP3N60P electronic components. IXTP3N60P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP3N60P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP3N60P Tuoteominaisuudet

Osa numero : IXTP3N60P
Valmistaja : IXYS
Kuvaus : MOSFET N-CH 600V 3A TO-220
Sarja : PolarHV™
Osan tila : Last Time Buy
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 3A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.9 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 9.8nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 411pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 70W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-220AB
Paketti / asia : TO-220-3

Saatat myös olla kiinnostunut