Infineon Technologies - IPW60R090CFD7XKSA1

KEY Part #: K6392590

IPW60R090CFD7XKSA1 Hinnoittelu (USD) [11588kpl varastossa]

  • 1 pcs$3.55645

Osa numero:
IPW60R090CFD7XKSA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
HIGH POWERNEW.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Tiristorit - SCR-moduulit, Diodit - Zener - Arrays, Tiristorit - DIAC, SIDAC and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies IPW60R090CFD7XKSA1 electronic components. IPW60R090CFD7XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPW60R090CFD7XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPW60R090CFD7XKSA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IPW60R090CFD7XKSA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : HIGH POWERNEW
Sarja : OptiMOS™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 25A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 11.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 570µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 51nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 2103pF @ 400V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 125W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : PG-TO247-3
Paketti / asia : TO-247-3