Taiwan Semiconductor Corporation - MUR310SHM6G

KEY Part #: K6439749

MUR310SHM6G Hinnoittelu (USD) [698025kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.05299

Osa numero:
MUR310SHM6G
Valmistaja:
Taiwan Semiconductor Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - RF, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Tiristorit - SCR-moduulit and Diodit - Zener - Single ...
Kilpailuetu:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation MUR310SHM6G electronic components. MUR310SHM6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MUR310SHM6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MUR310SHM6G Tuoteominaisuudet

Osa numero : MUR310SHM6G
Valmistaja : Taiwan Semiconductor Corporation
Kuvaus : DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Sarja : Automotive, AEC-Q101
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 100V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 3A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 3A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 25ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5µA @ 100V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-214AB, SMC
Toimittajalaitteen paketti : DO-214AB (SMC)
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 175°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • VS-6EWL06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6A 600V 59ns Ultrafast

  • BYG24J-M3/TR3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 600V 1.5A. Rectifiers 1.5A,600V,140nS Fast Avalanche,SMD

  • BYG20G-E3/TR3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 400V 1.5A. Rectifiers 1.5 Amp 400 Volt

  • BYG22D-M3/TR3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC. Rectifiers 2A,200V,25nS UF Fast Avalanche,SMD

  • BYG22B-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC. Rectifiers 2A,100V,25nS UF Fast Avalanche,SMD

  • BYG24D-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 1.5A. Rectifiers 1.5A,200V,140nS Fast Avalanche,SMD