ON Semiconductor - FCP165N65S3R0

KEY Part #: K6397453

FCP165N65S3R0 Hinnoittelu (USD) [54133kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.72230

Osa numero:
FCP165N65S3R0
Valmistaja:
ON Semiconductor
Yksityiskohtainen kuvaus:
SUPERFET3 650V TO220 PKG.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Tiristorit - TRIACit, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Tiristorit - SCR-moduulit and Transistorit - IGBT - Arrays ...
Kilpailuetu:
We specialize in ON Semiconductor FCP165N65S3R0 electronic components. FCP165N65S3R0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCP165N65S3R0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCP165N65S3R0 Tuoteominaisuudet

Osa numero : FCP165N65S3R0
Valmistaja : ON Semiconductor
Kuvaus : SUPERFET3 650V TO220 PKG
Sarja : SuperFET® III
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 19A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 165 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.9mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1500pF @ 400V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 154W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-220-3
Paketti / asia : TO-220-3