Infineon Technologies - 2LS20017E42W40403NOSA1

KEY Part #: K6532665

2LS20017E42W40403NOSA1 Hinnoittelu (USD) [22kpl varastossa]

  • 1 pcs$1548.16464

Osa numero:
2LS20017E42W40403NOSA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
IGBT MODULE 1700V 20A.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - DIAC, SIDAC, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Tehonohjaimen moduulit, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Tiristorit - SCR-moduulit, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies 2LS20017E42W40403NOSA1 electronic components. 2LS20017E42W40403NOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2LS20017E42W40403NOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2LS20017E42W40403NOSA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : 2LS20017E42W40403NOSA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : IGBT MODULE 1700V 20A
Sarja : *
Osan tila : Not For New Designs
IGBT-tyyppi : -
kokoonpano : -
Jännite - keräilijän jakajan jakauma (max) : -
Nykyinen - keräilijä (Ic) (max) : -
Teho - Max : -
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic : -
Nykyinen - Keräilijän katkaisu (max) : -
Syöttökapasiteetti (Cies) @ Vce : -
panos : -
NTC-termistori : -
Käyttölämpötila : -
Asennustyyppi : -
Paketti / asia : -
Toimittajalaitteen paketti : -

Saatat myös olla kiinnostunut
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.