Osa numero :
SI5515CDC-T1-GE3
Valmistaja :
Vishay Siliconix
Kuvaus :
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
FET-tyyppi :
N and P-Channel
FET-ominaisuus :
Logic Level Gate
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
36 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
11.3nC @ 5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
632pF @ 10V
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
8-SMD, Flat Lead
Toimittajalaitteen paketti :
1206-8 ChipFET™