Infineon Technologies - DF80R12W2H3_B11

KEY Part #: K6532737

DF80R12W2H3_B11 Hinnoittelu (USD) [1956kpl varastossa]

  • 1 pcs$22.13400

Osa numero:
DF80R12W2H3_B11
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
IGBT MODULE VCES 1200V 160A.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt and Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies DF80R12W2H3_B11 electronic components. DF80R12W2H3_B11 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DF80R12W2H3_B11, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DF80R12W2H3_B11 Tuoteominaisuudet

Osa numero : DF80R12W2H3_B11
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : IGBT MODULE VCES 1200V 160A
Sarja : *
Osan tila : Active
IGBT-tyyppi : -
kokoonpano : -
Jännite - keräilijän jakajan jakauma (max) : -
Nykyinen - keräilijä (Ic) (max) : -
Teho - Max : -
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic : -
Nykyinen - Keräilijän katkaisu (max) : -
Syöttökapasiteetti (Cies) @ Vce : -
panos : -
NTC-termistori : -
Käyttölämpötila : -
Asennustyyppi : -
Paketti / asia : -
Toimittajalaitteen paketti : -

Saatat myös olla kiinnostunut
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT