Infineon Technologies - IRF3205STRRPBF

KEY Part #: K6419294

IRF3205STRRPBF Hinnoittelu (USD) [102494kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.38150
  • 800 pcs$0.34644

Osa numero:
IRF3205STRRPBF
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Tiristorit - TRIACit, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single and Transistorit - ohjelmoitava Unijunction ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies IRF3205STRRPBF electronic components. IRF3205STRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF3205STRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF3205STRRPBF Tuoteominaisuudet

Osa numero : IRF3205STRRPBF
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Sarja : HEXFET®
Osan tila : Not For New Designs
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 55V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 110A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 62A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 146nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 3247pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 200W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : D2PAK
Paketti / asia : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB