Vishay Semiconductor Diodes Division - RGF1GHE3/67A

KEY Part #: K6457446

RGF1GHE3/67A Hinnoittelu (USD) [506068kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.07309
  • 6,000 pcs$0.06624

Osa numero:
RGF1GHE3/67A
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 400 Volt 150ns 30 Amp IFSM
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - JFET, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - IGBT - Arrays, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset and Transistorit - erityistarkoitus ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGF1GHE3/67A electronic components. RGF1GHE3/67A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGF1GHE3/67A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGF1GHE3/67A Tuoteominaisuudet

Osa numero : RGF1GHE3/67A
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA
Sarja : SUPERECTIFIER®
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 400V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 1A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 150ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5µA @ 400V
Kapasitanssi @ Vr, F : 8.5pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-214BA
Toimittajalaitteen paketti : DO-214BA (GF1)
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • ES1D-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt

  • US1M-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt

  • ES2CHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,150V,20ns SMB, UF Rect, SMD

  • ES2AHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20ns SMB, UF Rect, SMD

  • ES2BHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,100V,20ns SMB, UF Rect, SMD

  • MURS120HE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA. Rectifiers 1A,200V,25ns SMB, UF Rect, SMD