Taiwan Semiconductor Corporation - S10JCHM6G

KEY Part #: K6434628

S10JCHM6G Hinnoittelu (USD) [695844kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.05316

Osa numero:
S10JCHM6G
Valmistaja:
Taiwan Semiconductor Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - IGBT - moduulit, Diodit - RF, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Diodit - Zener - Single and Tiristorit - TRIACit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S10JCHM6G electronic components. S10JCHM6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S10JCHM6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S10JCHM6G Tuoteominaisuudet

Osa numero : S10JCHM6G
Valmistaja : Taiwan Semiconductor Corporation
Kuvaus : DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
Sarja : Automotive, AEC-Q101
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 10A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 10A
Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : -
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 1µA @ 600V
Kapasitanssi @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-214AB, SMC
Toimittajalaitteen paketti : DO-214AB (SMC)
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • BAS70WT-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT323.

  • VS-8EWS10STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK. Rectifiers Input Diodes - D-PAK

  • VS-8EWF02STRL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-8EWS12STRR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-8EWF12STRL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-8EWF10STRR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3