Infineon Technologies - IPD70P04P4L08ATMA1

KEY Part #: K6420301

IPD70P04P4L08ATMA1 Hinnoittelu (USD) [179509kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.20605
  • 2,500 pcs$0.18906

Osa numero:
IPD70P04P4L08ATMA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET P-CH TO252-3.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Diodit - Zener - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - IGBT - moduulit, Tiristorit - SCR-moduulit, Diodit - Zener - Arrays, Tiristorit - DIAC, SIDAC and Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies IPD70P04P4L08ATMA1 electronic components. IPD70P04P4L08ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD70P04P4L08ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD70P04P4L08ATMA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IPD70P04P4L08ATMA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : MOSFET P-CH TO252-3
Sarja : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : P-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 70A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.8 mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 120µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 92nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 5430pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 75W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : PG-TO252-3-313
Paketti / asia : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63