Osa numero :
IPD70P04P4L08ATMA1
Valmistaja :
Infineon Technologies
Kuvaus :
MOSFET P-CH TO252-3
Sarja :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
70A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.8 mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 120µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
92nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
5430pF @ 25V
Tehon hajautus (max) :
75W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
PG-TO252-3-313
Paketti / asia :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63