Vishay Siliconix - SI7464DP-T1-E3

KEY Part #: K6419200

SI7464DP-T1-E3 Hinnoittelu (USD) [96727kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.40424
  • 3,000 pcs$0.37874

Osa numero:
SI7464DP-T1-E3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR: t, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single and Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SI7464DP-T1-E3 electronic components. SI7464DP-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7464DP-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7464DP-T1-E3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SI7464DP-T1-E3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
Sarja : TrenchFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 1.8A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 1.8W (Ta)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : PowerPAK® SO-8
Paketti / asia : PowerPAK® SO-8