Osa numero :
IRFHM8337TRPBF
Valmistaja :
Infineon Technologies
Kuvaus :
MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
12A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.4 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
8.1nC @ 4.5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
755pF @ 15V
Tehon hajautus (max) :
2.8W (Ta), 25W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Paketti / asia :
8-PowerTDFN