MPG06M-E3/100 Hinnoittelu (USD) [741232kpl varastossa]
- 1 pcs$0.04990
- 10,000 pcs$0.04522
- Osa numero:
- MPG06M-E3/100
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A MPG06. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp 40 Amp IFSM
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt and Transistorit - JFET ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division MPG06M-E3/100 electronic components. MPG06M-E3/100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MPG06M-E3/100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MPG06M-E3/100 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
MPG06M-E3/100
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 1KV 1A MPG06
Sarja :
Automotive, AEC-Q101
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
1000V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 1A
Nopeus :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
600ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
5µA @ 1000V
Kapasitanssi @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi :
Through Hole
Paketti / asia :
MPG06, Axial
Toimittajalaitteen paketti :
MPG06
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
BAV21 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
BAV20 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
BAV19 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
DST5100S
Littelfuse Inc.
DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277B. Schottky Diodes & Rectifiers 5A 100V TO-277B
-
-
Kuumat osat
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18