Toshiba Semiconductor and Storage - TK31E60X,S1X

KEY Part #: K6416745

TK31E60X,S1X Hinnoittelu (USD) [18018kpl varastossa]

  • 1 pcs$2.51640
  • 50 pcs$2.02220
  • 100 pcs$1.84248
  • 500 pcs$1.49195
  • 1,000 pcs$1.25827

Osa numero:
TK31E60X,S1X
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - IGBT - moduulit, Diodit - Zener - Arrays, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot and Tiristorit - SCR: t ...
Kilpailuetu:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK31E60X,S1X electronic components. TK31E60X,S1X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK31E60X,S1X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK31E60X,S1X Tuoteominaisuudet

Osa numero : TK31E60X,S1X
Valmistaja : Toshiba Semiconductor and Storage
Kuvaus : MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220
Sarja : DTMOSIV-H
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 30.8A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 88 mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 3000pF @ 300V
FET-ominaisuus : Super Junction
Tehon hajautus (max) : 230W (Tc)
Käyttölämpötila : 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-220
Paketti / asia : TO-220-3

Saatat myös olla kiinnostunut
  • ZVP3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3.

  • ZVN4206A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

  • ZVN2110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • 2N7000BU

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • ZVN4424A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3.

  • BS170-D75Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.