ON Semiconductor - FDBL86566-F085

KEY Part #: K6402011

FDBL86566-F085 Hinnoittelu (USD) [71981kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.54321

Osa numero:
FDBL86566-F085
Valmistaja:
ON Semiconductor
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 240A MO299A.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - IGBT - Arrays, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var and Transistorit - ohjelmoitava Unijunction ...
Kilpailuetu:
We specialize in ON Semiconductor FDBL86566-F085 electronic components. FDBL86566-F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDBL86566-F085, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDBL86566-F085 Tuoteominaisuudet

Osa numero : FDBL86566-F085
Valmistaja : ON Semiconductor
Kuvaus : MOSFET N-CH 60V 240A MO299A
Sarja : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 240A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 6655pF @ 30V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 300W (Tj)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : 8-HPSOF
Paketti / asia : 8-PowerSFN

Saatat myös olla kiinnostunut
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.