Diodes Incorporated - BSS123WQ-7-F

KEY Part #: K6420201

BSS123WQ-7-F Hinnoittelu (USD) [1370277kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.02699
  • 3,000 pcs$0.02502

Osa numero:
BSS123WQ-7-F
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT323.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - JFET, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction and Transistorit - FETit, MOSFETit - RF ...
Kilpailuetu:
We specialize in Diodes Incorporated BSS123WQ-7-F electronic components. BSS123WQ-7-F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSS123WQ-7-F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS123WQ-7-F Tuoteominaisuudet

Osa numero : BSS123WQ-7-F
Valmistaja : Diodes Incorporated
Kuvaus : MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT323
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 170mA (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 60pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 200mW (Ta)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : SOT-323
Paketti / asia : SC-70, SOT-323