Infineon Technologies - IPD60R180P7SAUMA1

KEY Part #: K6419399

IPD60R180P7SAUMA1 Hinnoittelu (USD) [109649kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.33733
  • 2,500 pcs$0.30253

Osa numero:
IPD60R180P7SAUMA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Tiristorit - SCR: t, Diodit - Zener - Arrays, Diodit - RF, Diodit - Zener - Single and Tiristorit - TRIACit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies IPD60R180P7SAUMA1 electronic components. IPD60R180P7SAUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD60R180P7SAUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD60R180P7SAUMA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IPD60R180P7SAUMA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Sarja : CoolMOS™ P7
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 280µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1081pF @ 400V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 72W (Tc)
Käyttölämpötila : -40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : PG-TO252-3
Paketti / asia : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63