Microsemi Corporation - APT29F100B2

KEY Part #: K6397858

APT29F100B2 Hinnoittelu (USD) [4640kpl varastossa]

  • 1 pcs$10.27136
  • 10 pcs$9.33596
  • 100 pcs$7.54853

Osa numero:
APT29F100B2
Valmistaja:
Microsemi Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen and Transistorit - IGBT - moduulit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Microsemi Corporation APT29F100B2 electronic components. APT29F100B2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT29F100B2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT29F100B2 Tuoteominaisuudet

Osa numero : APT29F100B2
Valmistaja : Microsemi Corporation
Kuvaus : MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
Sarja : POWER MOS 8™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 1000V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 440 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 8500pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 1040W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : T-MAX™ [B2]
Paketti / asia : TO-247-3 Variant

Saatat myös olla kiinnostunut
  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • TK380A60Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS.

  • TK72A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 72A TO-220.

  • TK14A65W5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220.