Microsemi Corporation - JANS1N6761UR-1

KEY Part #: K6442516

Perheluokat:: KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Diodit - RF, Transistorit - erityistarkoitus, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Diodit - Zener - Single, Tehonohjaimen moduulit and Diodit - Zener - Arrays ...

Kilpailuetu:: We specialize in Microsemi Corporation JANS1N6761UR-1 electronic components. JANS1N6761UR-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANS1N6761UR-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa numero : JANS1N6761UR-1

Valmistaja : Microsemi Corporation

Kuvaus : DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO41

Sarja : Military, MIL-PRF-19500/586

Osan tila : Active

Diodin tyyppi : Schottky

Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 100V

Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1A

Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 380mV @ 100mA

Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Käänteinen palautumisaika (trr) : -

Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 100µA @ 100V

Kapasitanssi @ Vr, F : 70pF @ 5V, 1MHz

Asennustyyppi : Surface Mount

Paketti / asia : DO-213AB, MELF (Glass)

Toimittajalaitteen paketti : DO-213AB (MELF, LL41)

Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut

UD0506T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF
RD0306T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 3A TPFA.
GP2D010A120C

Global Power Technologies Group

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2.
GP2D006A065C

Global Power Technologies Group

DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO252-2.
STPS20M100SFP

STMicroelectronics

DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220FP.
1PS74SB23,125

Nexperia USA Inc.

DIODE SCHOTTKY 25V 1A 6TSOP. Schottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHOTTKY

Kuumat osat