Osa numero :
SIR632DP-T1-RE3
Valmistaja :
Vishay Siliconix
Kuvaus :
MOSFET N-CH 150V 29A POWERPAKSO
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
150V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
29A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
34.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 7.5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
740pF @ 75V
Tehon hajautus (max) :
69.5W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
PowerPAK® SO-8
Paketti / asia :
PowerPAK® SO-8