Osa numero :
IPA65R099C6XKSA1
Valmistaja :
Infineon Technologies
Kuvaus :
MOSFET N-CH 650V 38A TO220
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
38A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
99 mOhm @ 12.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
127nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
2780pF @ 100V
Tehon hajautus (max) :
35W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Through Hole
Toimittajalaitteen paketti :
PG-TO220 Full Pack
Paketti / asia :
TO-220-3 Full Pack