Infineon Technologies - IRF640NSTRLPBF

KEY Part #: K6419369

IRF640NSTRLPBF Hinnoittelu (USD) [107556kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.34389
  • 800 pcs$0.25948

Osa numero:
IRF640NSTRLPBF
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - erityistarkoitus, Tehonohjaimen moduulit, Diodit - Zener - Single, Diodit - Zener - Arrays, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF and Tiristorit - TRIACit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies IRF640NSTRLPBF electronic components. IRF640NSTRLPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF640NSTRLPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF640NSTRLPBF Tuoteominaisuudet

Osa numero : IRF640NSTRLPBF
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Sarja : HEXFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 67nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1160pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 150W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : D2PAK
Paketti / asia : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Saatat myös olla kiinnostunut