Infineon Technologies - SPD15P10PLGBTMA1

KEY Part #: K6419417

SPD15P10PLGBTMA1 Hinnoittelu (USD) [110816kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.33377
  • 2,500 pcs$0.32044

Osa numero:
SPD15P10PLGBTMA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - JFET, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Tiristorit - TRIACit, Diodit - Zener - Arrays and Diodit - sillan tasasuuntaajat ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies SPD15P10PLGBTMA1 electronic components. SPD15P10PLGBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPD15P10PLGBTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPD15P10PLGBTMA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SPD15P10PLGBTMA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
Sarja : SIPMOS®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : P-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 15A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1.54mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 62nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1490pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 128W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : PG-TO252-3
Paketti / asia : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Saatat myös olla kiinnostunut