Osa numero :
TK35N65W,S1F
Valmistaja :
Toshiba Semiconductor and Storage
Kuvaus :
MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
35A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 2.1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
100nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
4100pF @ 300V
Tehon hajautus (max) :
270W (Tc)
Käyttölämpötila :
150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Through Hole
Toimittajalaitteen paketti :
TO-247
Paketti / asia :
TO-247-3