Osa numero :
TK7P60W5,RVQ
Valmistaja :
Toshiba Semiconductor and Storage
Kuvaus :
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
7A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
670 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 350µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
490pF @ 300V
FET-ominaisuus :
Super Junction
Tehon hajautus (max) :
60W (Tc)
Käyttölämpötila :
150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
DPAK
Paketti / asia :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63