Infineon Technologies - BSC0500NSIATMA1

KEY Part #: K6419424

BSC0500NSIATMA1 Hinnoittelu (USD) [111072kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.33300
  • 5,000 pcs$0.32124

Osa numero:
BSC0500NSIATMA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF and Diodit - RF ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies BSC0500NSIATMA1 electronic components. BSC0500NSIATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC0500NSIATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC0500NSIATMA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : BSC0500NSIATMA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8
Sarja : OptiMOS™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 35A (Ta), 100A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 52nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 3300pF @ 15V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : PG-TDSON-8
Paketti / asia : 8-PowerTDFN