Microsemi Corporation - 1N5814

KEY Part #: K6445532

Yksityiskohtainen kuvaus:: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA. Rectifiers Rectifier

Perheluokat:: KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - sillan tasasuuntaajat, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - JFET, Diodit - Zener - Single, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt ...

Kilpailuetu:: We specialize in Microsemi Corporation 1N5814 electronic components. 1N5814 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5814, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa numero : 1N5814

Valmistaja : Microsemi Corporation

Kuvaus : DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Sarja : -

Osan tila : Active

Diodin tyyppi : Standard

Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 100V

Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 20A

Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 950mV @ 20A

Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Käänteinen palautumisaika (trr) : 35ns

Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 10µA @ 100V

Kapasitanssi @ Vr, F : 300pF @ 10V, 1MHz

Asennustyyppi : Stud Mount

Paketti / asia : DO-203AA, DO-4, Stud

Toimittajalaitteen paketti : DO-203AA

Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

Saatat myös olla kiinnostunut

C2D05120E

Cree/Wolfspeed

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.
VS-20ETF04FPPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.
BAT54WH6327XTSA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.
IDB23E60ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.
IDB12E120ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.
IDB45E60ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

Kuumat osat