Vishay Semiconductor Diodes Division - BYM10-600-E3/96

KEY Part #: K6452966

BYM10-600-E3/96 Hinnoittelu (USD) [867544kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.04263
  • 6,000 pcs$0.03459

Osa numero:
BYM10-600-E3/96
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - TRIACit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Diodit - Zener - Single, Tiristorit - SCR-moduulit, Tiristorit - SCR: t, Diodit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen and Tehonohjaimen moduulit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYM10-600-E3/96 electronic components. BYM10-600-E3/96 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYM10-600-E3/96, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYM10-600-E3/96 Tuoteominaisuudet

Osa numero : BYM10-600-E3/96
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Sarja : SUPERECTIFIER®
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : -
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 10µA @ 600V
Kapasitanssi @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-213AB, MELF (Glass)
Toimittajalaitteen paketti : DO-213AB
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • C3D10065E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 650V 32A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 650V, 10A

  • BAS21-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 250V

  • VS-HFA08SD60S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V Ultrafast 18ns HEXFRED

  • VS-50WQ10FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-HFA04SD60STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK.

  • VS-10WQ045FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3