Diodes Incorporated - MBR5200VPBTR-G1

KEY Part #: K6441643

MBR5200VPBTR-G1 Hinnoittelu (USD) [3405kpl varastossa]

  • 500 pcs$0.09021

Osa numero:
MBR5200VPBTR-G1
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO27.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Zener - Single, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt and Transistorit - FETit, MOSFETit - Single ...
Kilpailuetu:
We specialize in Diodes Incorporated MBR5200VPBTR-G1 electronic components. MBR5200VPBTR-G1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR5200VPBTR-G1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR5200VPBTR-G1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : MBR5200VPBTR-G1
Valmistaja : Diodes Incorporated
Kuvaus : DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO27
Sarja : -
Osan tila : Obsolete
Diodin tyyppi : Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 200V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 5A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 950mV @ 5A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : -
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 500µA @ 200V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Through Hole
Paketti / asia : DO-201AA, DO-27, Axial
Toimittajalaitteen paketti : DO-27
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • CDBDSC8650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V

  • CDBDSC10650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V

  • CDBDSC5650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 650V

  • VS-8EWS10STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-8EWS10STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VSB20L45-M3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A P600.