Osa numero :
IPAW60R280CEXKSA1
Valmistaja :
Infineon Technologies
Kuvaus :
MOSFET N-CH 600V TO220-3
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
19.3A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
280 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 430µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
43nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
950pF @ 100V
FET-ominaisuus :
Super Junction
Tehon hajautus (max) :
32W (Tc)
Käyttölämpötila :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Through Hole
Toimittajalaitteen paketti :
PG-TO220 Full Pack, Wide Creepage
Paketti / asia :
TO-220-3 Full Pack, Variant