ON Semiconductor - FDS3512

KEY Part #: K6392822

FDS3512 Hinnoittelu (USD) [93051kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.42231
  • 2,500 pcs$0.42021

Osa numero:
FDS3512
Valmistaja:
ON Semiconductor
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Zener - Arrays, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - IGBT - moduulit and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen ...
Kilpailuetu:
We specialize in ON Semiconductor FDS3512 electronic components. FDS3512 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS3512, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDS3512 Tuoteominaisuudet

Osa numero : FDS3512
Valmistaja : ON Semiconductor
Kuvaus : MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Sarja : PowerTrench®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 80V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 4A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 634pF @ 40V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 2.5W (Ta)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : 8-SOIC
Paketti / asia : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Saatat myös olla kiinnostunut