Vishay Semiconductor Diodes Division - BYM07-400HE3_A/I

KEY Part #: K6457878

BYM07-400HE3_A/I Hinnoittelu (USD) [732237kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.05051

Osa numero:
BYM07-400HE3_A/I
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,400V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Tiristorit - TRIACit, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset and Transistorit - JFET ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYM07-400HE3_A/I electronic components. BYM07-400HE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYM07-400HE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYM07-400HE3_A/I Tuoteominaisuudet

Osa numero : BYM07-400HE3_A/I
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213
Sarja : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 400V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 500mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.35V @ 500mA
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 50ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5µA @ 400V
Kapasitanssi @ Vr, F : 7pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-213AA (Glass)
Toimittajalaitteen paketti : DO-213AA (GL34)
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • RGL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-300-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • BYM07-50-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34C-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns

  • EGL34F-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns

  • EGL34A-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 0.5 Amp 50 Volt 50ns